檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "黃鶯聲".ccommittee (精準) and year="99"
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本實驗以Zn+ZnO當作反應源，利用鋅蒸氣氧化法成長氧化鋅一維材料，並討論不同觸媒、不同觸媒製備方式、不同基板、複合觸媒以及基板粗糙度對氧化鋅一維材料成長之影響。 在觸媒的選擇上，我們使用了Sn…
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摘要 鋅蒸氣氧化法具有低成本、大面積製作等優點，故本實驗利用此法合成氧化鋅奈米結構，並透過討論不同基板、觸媒以及觸媒沉積方式等條件下對氧化鋅一維奈米結構成長之影響。 實驗成長條件為使用1克之金屬鋅粉…
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超高電容器(ultracapacitor)同時具有充份電荷儲存能力，高功率密度及能快速充放電且壽命長，是一種具備快速充放電、瞬時高輸出功率且實用的儲能元件。 本研究使用化學共沉澱法製備三種不同含碳…
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電化學電容器因電子產業發展迅速, 能源需求增加, 愈顯得其重要性. 本實驗以碳纖維為基板, 在碳纖維上成長奈米碳管, 碳纖維上濺鍍二氧化銥及將二氧化銥濺鍍在碳纖維上之奈米碳管做為電化學電容器電極材料…
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本實驗使用反應式離子束共濺鍍Zn及Mg金屬靶沉積MgxZn1-xO薄膜，利用不同離子束電流調整x = 0 ~ 0.46，薄膜沉積於Si (100)、玻璃及石英基板。XRD量測結果中，MgxZn1-x…
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本文藉由改變離子束轟擊角度以及改變離子束能量，使Si (100) 基板表面產生波紋形貌。使用的離子種類為氬離子，能量為6 ~ 10 keV，電流密度為2 A/cm2，總離子量為 ~3.61016…
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構，以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種，實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構，而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構，其結構上受到摻雜…
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本研究中，我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）系統成長氮化鎵(GaN…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法，以氧化鋅為緩衝層並於300度C下以石英及玻璃基板沉積含氮p型氧化鋅薄膜。XRD分析以氮流量0.5及5 sccm沉積之薄膜，5 sccm其(002)繞射峰值往小角度偏移而…